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6728993Immagine STI6N90K5.STMicroelectronics

STI6N90K5

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STI6N90K5
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    1.STI6N90K5.pdf
    2.STI6N90K5.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I2PAK
  • Serie
    MDmesh™ K5
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.1 Ohm @ 3A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    110W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-262-3 Full Pack, I²Pak
  • Altri nomi
    497-17075
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    900V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 900V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

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27/09/2024
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