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6461515Immagine STL8DN10LF3.STMicroelectronics

STL8DN10LF3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STL8DN10LF3
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STL8DN10LF3.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerFlat™ (5x6)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    35 mOhm @ 4A, 10V
  • Potenza - Max
    70W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    497-13168-2
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    38 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    970pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 70W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    20A
  • Numero di parte base
    ST*8DN

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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