STP100N8F6

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Specifiche

Modello di prodotti

STP100N8F6
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STP100N8F6.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220
Serie

STripFET™ F6
Rds On (max) a Id, Vgs

9 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

176W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-15553-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5955pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

80V
Descrizione dettagliata

N-Channel 80V 100A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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STP10LN80K5

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Produttori: STMicroelectronics

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