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166623Immagine STPSC1006G-TR.STMicroelectronics

STPSC1006G-TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STPSC1006G-TR
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STPSC1006G-TR.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    10A
  • Tensione - Ripartizione
    D²PAK
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    650pF @ 0V, 1MHz
  • Polarizzazione
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    497-11209-2
    STPSC1006GTR
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    0ns
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    STPSC1006G-TR
  • Descrizione espansione
    Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Surface Mount D²PAK
  • Configurazione diodo
    150µA @ 600V
  • Descrizione
    DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.7V @ 10A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    600V
  • Capacità a Vr, F
    -40°C ~ 175°C

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27/09/2024
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