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1451315Immagine STW11NB80.STMicroelectronics

STW11NB80

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STW11NB80
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    STW11NB80.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247-3
  • Serie
    PowerMESH™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    800 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    190W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    497-2789-5
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2900pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    800V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 800V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

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27/09/2024
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