STW8N120K5

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Specifiche

Modello di prodotti

STW8N120K5
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STW8N120K5.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

-
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

MDmesh™ K5
Rds On (max) a Id, Vgs

2 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

130W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
Altri nomi

497-18094
STW8N120K5-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

505pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1200V 6A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: LED ACRICH WARM WHITE 3500K 4SMD

Produttori: Seoul Semiconductor

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