RF 1BV1

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Specifiche

Modello di prodotti

RF 1BV1
Costruttore / Marca

Sanken Electric Co., Ltd.
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.RF 1BV1.pdf
2.RF 1BV1.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

2V @ 1A
Tensione - inversa (Vr) (max)

800V
Contenitore dispositivo fornitore

-
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

400ns
imballaggio

Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro

Axial
Altri nomi

RF 1BV1 DK
RF 1BV1-ND
RF 1BV1TB
RF 1BV1TB-ND
RF 1BV1TR
RF 1BV1TR-ND
RF1BV1TB
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-40°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 800V 600mA Through Hole
Corrente - Dispersione inversa a Vr

10µA @ 800V
Corrente - raddrizzata media (Io)

600mA
Capacità a Vr, F

-

Notizie correlate
spedizione
Metodi di pagamento

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Di seguito sono riportati prodotti correlati "RF 1BV1".

ES2DHM4G

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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