1N5809US.TR

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Specifiche

Modello di prodotti

1N5809US.TR
Costruttore / Marca

Semtech
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 100V 6A
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

1N5809US.TR.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

875mV @ 4A
Tensione - inversa (Vr) (max)

100V
Contenitore dispositivo fornitore

-
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

30ns
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SQ-MELF
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-
Tipo montaggio

Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard

46 Weeks
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 100V 6A Surface Mount
Corrente - Dispersione inversa a Vr

5µA @ 100V
Corrente - raddrizzata media (Io)

6A
Capacità a Vr, F

60pF @ 5V, 1MHz

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