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3055197Immagine ES3DHM6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES3DHM6G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ES3DHM6G
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ES3DHM6G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    950mV @ 3A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AB (SMC)
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    35ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    3A
  • Capacità a Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz

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Pagamento
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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES3DHR7G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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