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GPAS1001 MNG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GPAS1001 MNG
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GPAS1001 MNG.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.1V @ 10A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    50V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-263AB (D²PAK)
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    GPAS1001 MNG-ND
    GPAS1001MNG
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 50V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    10A
  • Capacità a Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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Pagamento
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