HS3DB R5G

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Specifiche

Modello di prodotti

HS3DB R5G
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

HS3DB R5G.pdf
Modello ECAD
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max)

200V
Contenitore dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

50ns
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

DO-214AA, SMB
Altri nomi

HS3DB R5GTR
HS3DB R5GTR-ND
HS3DBR5GTR
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Corrente - Dispersione inversa a Vr

10µA @ 200V
Corrente - raddrizzata media (Io)

3A
Capacità a Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "HS3DB R5G".

HS3B R7G

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)

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