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2042597Immagine HS3KB R5G.TSC (Taiwan Semiconductor)

HS3KB R5G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HS3KB R5G
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HS3KB R5G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 3A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AA (SMB)
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    75ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AA, SMB
  • Altri nomi
    HS3KB R5GCT
    HS3KB R5GCT-ND
    HS3KBR5GCT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    3A
  • Capacità a Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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