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KBP101G C2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    KBP101G C2
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    BRIDGE DIODE 1A 50V GPP KBP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    KBP101G C2.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    50V
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 1A
  • Tecnologia
    Standard
  • Contenitore dispositivo fornitore
    KBP
  • Serie
    -
  • Contenitore / involucro
    4-SIP, KBP
  • Altri nomi
    KBP101G C2-ND
    KBP101GC2
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Single Phase
  • Descrizione dettagliata
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole KBP
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A

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KBP103G C2

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Descrizione: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

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Descrizione: BRIDGE RECT 1P 600V 1.5A KBPM

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Descrizione: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

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Descrizione: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

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Descrizione: RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: DIODE 1.5A 800V KBPM

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