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3427506Immagine RS1G R3G.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1G R3G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RS1G R3G
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RS1G R3G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    400V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AC (SMA)
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    150ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AC, SMA
  • Altri nomi
    RS1G R3GCT
    RS1G R3GCT-ND
    RS1GR3GCT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    17 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 400V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Pagamento
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RS1G-E3/61T

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
RS1E200GNTB

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
RS1E240BNTB

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
RS1G-13

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
RS1E300GNTB

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
RS1E280BNTB

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
RS1G/1

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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RS1G M2G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
RS1G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
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RS1E240GNTB

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
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RS1G-13-F

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
RS1G-M3/61T

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
RS1E350BNTB

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
RS1G-E3/5AT

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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RS1E320GNTB

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RFQ
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