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622932Immagine RS1JLHR3G.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JLHR3G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RS1JLHR3G
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RS1JLHR3G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 800mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Sub SMA
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    250ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-219AB
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    21 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    800mA
  • Capacità a Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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