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4788172Immagine S5JB M4G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S5JB M4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S5JB M4G
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    S5JB M4G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.1V @ 5A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AA (SMB)
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AA, SMB
  • Altri nomi
    S5JB M4G-ND
    S5JBM4G
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    5A
  • Capacità a Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz

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Pagamento
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

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