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4376356Immagine TPAR3D S1G.TSC (Taiwan Semiconductor)

TPAR3D S1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPAR3D S1G
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TPAR3D S1G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.55V @ 3A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-277A (SMPC)
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    120ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Altri nomi
    TPAR3D S1GCT
    TPAR3D S1GCT-ND
    TPAR3DS1GCT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    7 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Avalanche
  • Descrizione dettagliata
    Diode Avalanche 200V 3A Surface Mount TO-277A (SMPC)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    3A
  • Capacità a Vr, F
    58pF @ 4V, 1MHz

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