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1026876Immagine TSM1NB60CW RPG.TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM1NB60CW RPG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TSM1NB60CW RPG
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TSM1NB60CW RPG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    10 Ohm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    39W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • Altri nomi
    TSM1NB60CW RPGTR
    TSM1NB60CW RPGTR-ND
    TSM1NB60CWRPGTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Produttore tempi di consegna standard
    30 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    138pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6.1nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount SOT-223
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1A (Tc)

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Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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