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Immagine TSM280NB06LCR RLG.

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM280NB06LCR RLG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM280NB06LCR RLG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

TSM280NB06LCR RLG.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-PDFN (5x6)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

28 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 56W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerLDFN
Altri nomi

TSM280NB06LCRRLGTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

969pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 7A (Ta), 28A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta), 28A (Tc)

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