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Immagine TSM300NB06CR RLG.

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM300NB06CR RLG

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Specifiche

Modello di prodotti

TSM300NB06CR RLG
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

TSM300NB06CR RLG.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-PDFN (5x6)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

30 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 56W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerLDFN
Altri nomi

TSM300NB06CRRLGTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 6A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta), 27A (Tc)

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