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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SB1457,T6YMEF(M
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302394Immagine 2SB1457,T6YMEF(M.Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SB1457,T6YMEF(M
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 2A 100V TO226-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SB1457,T6YMEF(M.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.5V @ 1mA, 1A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92MOD
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    900mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Altri nomi
    2SB1457T6YMEF(M
    2SB1457T6YMEFM
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    50MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    2000 @ 1A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    2A

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