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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC2705-Y(TE6,F,M)
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3485390Immagine 2SC2705-Y(TE6,F,M).Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-Y(TE6,F,M)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC2705-Y(TE6,F,M)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 150V 0.05A TO-92
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC2705-Y(TE6,F,M).pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    150V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LSTM
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    800mW
  • imballaggio
    Tape & Box (TB)
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 200MHz 800mW Through Hole LSTM
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    50mA

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