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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC3324GRTE85LF
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2SC3324GRTE85LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC3324GRTE85LF
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC3324GRTE85LF.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    120V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-236
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    2SC3324-GR(TE85L,F
    2SC3324GRTE85LFTR
  • temperatura di esercizio
    125°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount TO-236
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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Pagamento
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Descrizione: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI

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Descrizione: TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI

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Descrizione: TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI

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