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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC6026CTGRTPL3
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5209606Immagine 2SC6026CTGRTPL3.Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CTGRTPL3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC6026CTGRTPL3
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 50V 0.1A CST3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC6026CTGRTPL3.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    CST3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    100mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-101, SOT-883
  • Altri nomi
    2SC6026CT-GR(TPL3)
    2SC6026CTGRTPL3TR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    60MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 60MHz 100mW Surface Mount CST3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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