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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > RN1423TE85LF
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Italia
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1798101

RN1423TE85LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RN1423TE85LF
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    S-Mini
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    RN1423(TE85L,F)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    11 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    300MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    70 @ 100mA, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    800mA
  • Numero di parte base
    RN142*
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

Descrizione: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN142GT2R

RN142GT2R

Descrizione: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RN142-1.4-02

RN142-1.4-02

Descrizione: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

Descrizione: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RN142STE61

RN142STE61

Descrizione: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN142-4-02-3M3

RN142-4-02-3M3

Descrizione: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN142-6-02-1M8

RN142-6-02-1M8

Descrizione: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN142-4-02

RN142-4-02

Descrizione: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN142VTE-17

RN142VTE-17

Descrizione: DIODE PIN 60V UMD

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

Descrizione: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN142ZST2R

RN142ZST2R

Descrizione: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RN142-6-02

RN142-6-02

Descrizione: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

Descrizione: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
In magazzino
RN142-2-02

RN142-2-02

Descrizione: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Produttori: Schaffner EMC, Inc.
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