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621653Immagine RN2961FE(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

RN2961FE(TE85L,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RN2961FE(TE85L,F)
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ES6
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    100mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-563, SOT-666
  • Altri nomi
    RN2961FE(TE85LF)TR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
RN2965(TE85L,F)

RN2965(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2964FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2908FE(TE85L,F)

RN2908FE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2911FE(TE85L,F)

RN2911FE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2963(TE85L,F)

RN2963(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2909(T5L,F,T)

RN2909(T5L,F,T)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2910FE,LF(CB

RN2910FE,LF(CB

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2967(TE85L,F)

RN2967(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2963FE(TE85L,F)

RN2963FE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2962(TE85L,F)

RN2962(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2911(T5L,F,T)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2965FE(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2908(T5L,F,T)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2911,LF

RN2911,LF

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2964(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2962FE(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2961(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2966FE(TE85L,F)

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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