TK12A53D(STA4,Q,M)

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Specifiche

Modello di prodotti

TK12A53D(STA4,Q,M)
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.TK12A53D(STA4,Q,M).pdf
2.TK12A53D(STA4,Q,M).pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220SIS
Serie

π-MOSVII
Rds On (max) a Id, Vgs

580 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
Altri nomi

TK12A53D(STA4QM)
TK12A53DSTA4QM
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

525V
Descrizione dettagliata

N-Channel 525V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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