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1394351Immagine TK12V60W,LVQ.Toshiba Semiconductor and Storage

TK12V60W,LVQ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TK12V60W,LVQ
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TK12V60W,LVQ.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.7V @ 600µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    4-DFN-EP (8x8)
  • Serie
    DTMOSIV
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    300 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    104W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    4-VSFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    TK12V60WLVQCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    890pF @ 300V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Super Junction
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 11.5A (Ta) 104W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    11.5A (Ta)

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