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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > TK35A08N1,S4X
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2734700Immagine TK35A08N1,S4X.Toshiba Semiconductor and Storage

TK35A08N1,S4X

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TK35A08N1,S4X
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TK35A08N1,S4X.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 300µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220SIS
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    30W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • Altri nomi
    TK35A08N1,S4X(S
    TK35A08N1,S4X-ND
    TK35A08N1S4X
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 35A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

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