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TPC6006-H(TE85L,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPC6006-H(TE85L,F)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.TPC6006-H(TE85L,F).pdf
    2.TPC6006-H(TE85L,F).pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    VS-6 (2.9x2.8)
  • Serie
    U-MOSIII-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    75 mOhm @ 1.9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    700mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    251pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4.4nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 3.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Ta)

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TPC6.8AHM3_A/I

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Descrizione: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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TPC6011(TE85L,F,M)

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 6A VS6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
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TPC51AHM3_A/I

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Descrizione: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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TPC6.8HM3/87A

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Descrizione: TVS DIODE 5.5V 10.8V TO277A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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TPC51AHM3/86A

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Descrizione: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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TPC6111(TE85L,F,M)

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Descrizione: MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC6010-H(TE85L,FM

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
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TPC51AHM3/87A

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Descrizione: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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TPC6008-H(TE85L,FM

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
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TPC6012(TE85L,F,M)

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Descrizione: MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
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TPC51AHM3_A/H

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Descrizione: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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TPC6.8AHM3_A/H

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Descrizione: TVS DIODE SMPC TO-277A

Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
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TPC6.8AHM3/87A

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Descrizione: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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TPC6.8AHM3/86A

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Descrizione: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC SMPC

Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
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TPC6109-H(TE85L,FM

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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
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TPC6009-H(TE85L,FM

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Descrizione: MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
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TPC6110(TE85L,F,M)

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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC6.8HM3/86A

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Descrizione: TVS DIODE 5.5VWM 10.8VC SMPC

Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
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TPC6104(TE85L,F,M)

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Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC6107(TE85L,F,M)

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Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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