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6562929Immagine TPC8067-H,LQ(S.Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8067-H,LQ(S

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPC8067-H,LQ(S
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.TPC8067-H,LQ(S.pdf
    2.TPC8067-H,LQ(S.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.3V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP
  • Serie
    U-MOSVII-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    25 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    TPC8067-HLQ(S
    TPC8067HLQS
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    690pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    9.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta)

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