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4009099Immagine TPN11006NL,LQ.Toshiba Semiconductor and Storage

TPN11006NL,LQ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPN11006NL,LQ
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TPN11006NL,LQ.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    11.4 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    700mW (Ta), 30W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    TPN11006NLLQDKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

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