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5146698Immagine TPD3215M.Transphorm

TPD3215M

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TPD3215M
  • Costruttore / Marca
    Transphorm
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TPD3215M.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    34 mOhm @ 30A, 8V
  • Potenza - Max
    470W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    TPH3215M
    TPH3215M-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2260pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 8V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Caratteristica FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

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