IRFIBF30GPBF

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Specifiche

Modello di prodotti

IRFIBF30GPBF
Costruttore / Marca

Vishay / Siliconix
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IRFIBF30GPBF.pdf
Modello ECAD
Tensione - Prova

1200pF @ 25V
Tensione - Ripartizione

TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id

3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (Max)

10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Stato RoHS

Tube
Rds On (max) a Id, Vgs

1.9A (Tc)
Polarizzazione

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Altri nomi

*IRFIBF30GPBF
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

11 Weeks
codice articolo del costruttore

IRFIBF30GPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

78nC @ 10V
Tipo IGBT

±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

900V
rapporto di capacità

35W (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IRFIBF30GPBF".

IRFIZ14G

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay

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