IRFR1N60ATRL

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Specifiche

Modello di prodotti

IRFR1N60ATRL
Costruttore / Marca

Vishay / Siliconix
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

IRFR1N60ATRL.pdf
Modello ECAD
Tensione - Prova

229pF @ 25V
Tensione - Ripartizione

D-Pak
Vgs (th) (max) a Id

7 Ohm @ 840mA, 10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Stato RoHS

Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs

1.4A (Tc)
Polarizzazione

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore

IRFR1N60ATRL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 600V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

600V
rapporto di capacità

36W (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IRFR1N60ATRL".

IRFR1N60APBF

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay

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