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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SI4634DY-T1-GE3
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SI4634DY-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI4634DY-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Vishay / Siliconix
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI4634DY-T1-GE3.pdf
  • Tensione - Prova
    3150pF @ 15V
  • Tensione - Ripartizione
    8-SO
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.2 mOhm @ 15A, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    24.5A (Tc)
  • Polarizzazione
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SI4634DY-T1-GE3TR
    SI4634DYT1GE3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    SI4634DY-T1-GE3
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    68nC @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.6V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 30V 24.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30V
  • rapporto di capacità
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

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Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

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