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SI6423DQ-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI6423DQ-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Vishay / Siliconix
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI6423DQ-T1-GE3.pdf
  • Tensione - Prova
    -
  • Tensione - Ripartizione
    8-TSSOP
  • Vgs (th) (max) a Id
    8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
  • Vgs (Max)
    1.8V, 4.5V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Stato RoHS
    Digi-Reel®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    8.2A (Ta)
  • Polarizzazione
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Altri nomi
    SI6423DQ-T1-GE3DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    SI6423DQ-T1-GE3
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    110nC @ 5V
  • Tipo IGBT
    ±8V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    800mV @ 400µA
  • Caratteristica FET
    P-Channel
  • Descrizione espansione
    P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12V
  • rapporto di capacità
    1.05W (Ta)

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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