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5153831Immagine SIE810DF-T1-E3.Vishay Siliconix

SIE810DF-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIE810DF-T1-E3
  • Costruttore / Marca
    Vishay / Siliconix
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIE810DF-T1-E3.pdf
  • Tensione - Prova
    13000pF @ 10V
  • Tensione - Ripartizione
    10-PolarPAK® (L)
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.4 mOhm @ 25A, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    60A (Tc)
  • Polarizzazione
    10-PolarPAK® (L)
  • Altri nomi
    SIE810DF-T1-E3TR
    SIE810DFT1E3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    SIE810DF-T1-E3
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    300nC @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    20V
  • rapporto di capacità
    5.2W (Ta), 125W (Tc)

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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