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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > W29N01HVBINF

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Italia

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Immagine W29N01HVBINF.

Winbond Electronics Corporation

W29N01HVBINF

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Specifiche

Modello di prodotti

W29N01HVBINF
Costruttore / Marca

Winbond Electronics Corporation
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.W29N01HVBINF.pdf
2.W29N01HVBINF.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina

25ns
Tensione di alimentazione -

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)
Serie

-
imballaggio

Tray
Contenitore / involucro

63-VFBGA
temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo di memoria

Non-Volatile
Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria

Parallel
Formato di memoria

FLASH
Produttore tempi di consegna standard

14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 63-VFBGA (9x11)
Tempo di accesso

25ns

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