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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > W9412G6KH-5 TR
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6872933Immagine W9412G6KH-5 TR.Winbond Electronics Corporation

W9412G6KH-5 TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W9412G6KH-5 TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Altri nomi
    W9412G6KH-5 TR-ND
    W9412G6KH-5TR
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Tempo di accesso
    50ns
W9412G6IH-5

W9412G6IH-5

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9425G6JB-5I TR

W9425G6JB-5I TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W94-X112-20

W94-X112-20

Descrizione: CIR BRKR

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
W9425G6KH-5

W9425G6KH-5

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9412G6JH-5I

W9412G6JH-5I

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9412G6KH-5

W9412G6KH-5

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9425G6JB-5

W9425G6JB-5

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9425G6EH-5

W9425G6EH-5

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9412G6JH-4

W9412G6JH-4

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9425G6KH-5 TR

W9425G6KH-5 TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9412G6KH-5I TR

W9412G6KH-5I TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9425G6JB-5I

W9425G6JB-5I

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9425G6KH-4

W9425G6KH-4

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W94-X112-30V

W94-X112-30V

Descrizione: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 415VAC

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W94-X113-30

W94-X113-30

Descrizione: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 277VAC

Produttori: Agastat Relays / TE Connectivity
In magazzino
W9412G6KH-5I

W9412G6KH-5I

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9412G6KH-4

W9412G6KH-4

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9412G6KH-4 TR

W9412G6KH-4 TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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