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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > W947D2HBJX5I
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3216312Immagine W947D2HBJX5I.Winbond Electronics Corporation

W947D2HBJX5I

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W947D2HBJX5I
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    90-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Tempo di accesso
    5ns
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9464G6KH-5

W9464G6KH-5

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9464G6KH-4

W9464G6KH-4

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W947D6HBHX5I

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9464G6KH-5I

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9464G6JH-5

W9464G6JH-5

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9464G6KH-5 TR

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9464G6JH-5I

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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