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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > W9712G6KB-25
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5065454Immagine W9712G6KB-25.Winbond Electronics Corporation

W9712G6KB-25

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W9712G6KB-25
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    84-TFBGA (8x12.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    84-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 400ps 84-TFBGA (8x12.5)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Tempo di accesso
    400ps
W971GG6KB25I TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W971GG8KB25I

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

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W9712G6KB25I TR

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Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W971GG6KB25I

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W971GG6SB25I TR

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W971GG6KB-18 TR

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W971GG6KB-25 TR

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W9712G6KB25I

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Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W971GG6KB-18

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Descrizione: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

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W971GG6SB-25 TR

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