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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > W979H2KBVX2I
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4494537Immagine W979H2KBVX2I.Winbond Electronics Corporation

W979H2KBVX2I

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W979H2KBVX2I
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    134-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Frequenza dell'orologio
    400MHz
W979H2KBVX2E

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBVX2I

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W979H6KBVX2E

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

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W97AH2KBQX2E

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W979H6KBVX2E TR

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W979H6KBVX2I TR

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