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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > W9812G6KH-5
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3198133Immagine W9812G6KH-5.Winbond Electronics Corporation

W9812G6KH-5

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    W9812G6KH-5
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 4.5ns 54-TSOP II
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Tempo di accesso
    4.5ns
W9812G6KH-5 TR

W9812G6KH-5 TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9812G6JH-6I

W9812G6JH-6I

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9816G6JB-6 TR

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Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9812G6KH-6I

W9812G6KH-6I

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9812G6KH-6I TR

W9812G6KH-6I TR

Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9816G6JB-6

W9816G6JB-6

Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9812G6JB-6 TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6JB-6I

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9816G6IH-6

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Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6KH-6 TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9812G2KB-6 TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6JH-5

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9812G6IH-6

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9816G6IB-6

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Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
In magazzino
W9812G2KB-6I

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9816G6IH-6I

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Descrizione: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6JB-6I TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6KH-6

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6JB-6

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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W9812G2KB-6I TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttori: Winbond Electronics Corporation
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