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2052107Immagine 1N5406RL.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N5406RL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N5406RL
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1N5406RL.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 3A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-201AD
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Altri nomi
    1N5406RLOSTR
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 170°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    3A
  • Capacità a Vr, F
    -
  • Numero di parte base
    1N5406

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Pagamento
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1N5406GHR0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N5407-E3/54

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N5406G

1N5406G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N5407

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Fairchild/ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N5406GHB0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N5407-E3/51

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N5407-G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Comchip Technology
In magazzino
RFQ
1N5406G A0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N5406-TP

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
1N5406TA

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In magazzino
RFQ
1N5407-E3/73

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
1N5406GHA0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
1N5406T-G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Comchip Technology
In magazzino
RFQ
1N5406G-T

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
1N5406RLG

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N5407

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
1N5406-T

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
1N5406GP-E3/54

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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1N5406GP-TP

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
1N5407-B

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
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