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603Immagine 1N5407-E3/51.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N5407-E3/51

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N5407-E3/51
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.2V @ 3A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-201AD
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-201AD, Axial
  • Altri nomi
    1N5407-E3/1
    1N5407-E3/1-ND
    1N5407-E3/1GI
    1N5407-E3/1GI-ND
    1N5407-E3/1TR
    1N5407-E3/1TR-ND
    1N5407-E3/51GI
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -50°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    3A
  • Capacità a Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Numero di parte base
    1N5407
1N5407-TP

1N5407-TP

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
1N5407

1N5407

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: ON Semiconductor
In magazzino
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N5406TA

1N5406TA

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In magazzino
1N5406GHR0G

1N5406GHR0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N5407-B

1N5407-B

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
1N5406RL

1N5406RL

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N5407

1N5407

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Fairchild/ON Semiconductor
In magazzino
1N5407-G

1N5407-G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Comchip Technology
In magazzino
1N5407-T

1N5407-T

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
1N5406GP-E3/54

1N5406GP-E3/54

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
1N5406T-G

1N5406T-G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Comchip Technology
In magazzino
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
1N5406RLG

1N5406RLG

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N5407G

1N5407G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
1N5407G-T

1N5407G-T

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Produttori: Diodes Incorporated
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