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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N3906_D81Z
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Italia
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2N3906_D81Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N3906_D81Z
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 40V 0.2A TO-92
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2N3906_D81Z.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    40V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    625mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    200mA
  • Numero di parte base
    2N3906

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Descrizione: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

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