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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N3960
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2N3960

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N3960
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 12V TO-18
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N3960.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    12V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 3mA, 30mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-18 (TO-206AA)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    400mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Altri nomi
    1086-20937
    1086-20937-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 400mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA (ICBO)

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2N3906_J25Z

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Descrizione: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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