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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N4923G
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407451Immagine 2N4923G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2N4923G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N4923G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 80V 1A TO225AA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2N4923G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    600mV @ 100mA, 1A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-225AA
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    30W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-225AA, TO-126-3
  • Altri nomi
    2N4923GOS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    19 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    3MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 3MHz 30W Through Hole TO-225AA
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 500mA, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A
  • Numero di parte base
    2N4923

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