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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-JFET > 2N5457_D26Z
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2N5457_D26Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N5457_D26Z
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    JFET N-CH 25V 625MW TO92
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2N5457_D26Z.pdf
  • Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id
    500mV @ 10nA
  • Tensione - Breakdown (V (BR) GSS)
    25V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    625mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7pF @ 15V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Descrizione dettagliata
    JFET N-Channel 25V 625mW Through Hole TO-92-3
  • Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0)
    1mA @ 15V
  • Numero di parte base
    2N5457

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Pagamento
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